DDR3-DIMM mit 240 Kontakten
Crucial DIMMs mit 240 Kontakten werden als DDR3-Arbeitsspeicher für Desktop-Computer verwendet. DDR3 ist die neueste Speichergeneration mit einer verbesserten Architektur für extrem schnelle Datenübertragungsraten.

Dual Inline Memory Module (DIMM) bestehen aus mehreren Speicherkomponenten (üblicherweise schwarz), die auf einer bedruckten Leiterplatine (meistens grün) aufgebracht sind. Die Goldkontakte an der DIMM-Unterseite verbinden das Modul mit einem Steckplatz auf einer größeren bedruckten Leiterplatine. Die Kontakte auf der Vorder- und Rückseite von DIMMs sind nicht miteinander verbunden.

Jedes DIMM mit 240 Kontakten bietet einen 64-Bit-Datenpfad (72-Bit für ECC-, Registered oder Fully Buffered-Module). (Die Ballistix™- und Ballistix Tracer™-Hochleistungsmodule sind nicht als 72-Bit- oder Registered-Version erhältlich.) Herkömmliche DDR3-DIMMs mit 240 Kontakten sind momentan in den Geschwindigkeiten PC3-8500 (DDR3 1066 MHz) und PC3-10600 (DDR3 1333 MHz) verfügbar. Weitere Geschwindigkeiten kommen hinzu, sobald die Technologie verfügbar ist.

Um DDR3-Speicher verwenden zu können, benötigt Ihr Motherboard DIMM-Steckplätze mit 240 Kontakten und einen Chipsatz mit DDR3-Unterstützung. Dies liegt daran, dass die DDR3-SDRAM-DIMMs nicht in DDR2-DIMM- oder DDR-DIMM-Steckplätze passen.

DIMMs mit 240 Kontakten können unterschiedlich viele schwarze Komponenten enthalten, haben jedoch immer je 120 Kontakte auf Vorder- und Rückseite, also insgesamt 240. DIMMs mit 240 Kontakten sind ca. 133,35 mm lang und 30 mm hoch. Die Höhe kann jedoch abweichen. Während DDR3-DIMMS mit 240 Kontakten, DDR2-DIMMs mit 240 Kontakten, DDR-DIMMs mit 184 Kontakten und DIMMs mit 168 Kontakten alle in etwa gleich groß sind, haben DIMMs mit 240 Kontakten und DIMMs mit 184 Kontakten nur eine Einkerbung in der Kontaktreihe.

Merkmale
RAM-Speicher: 4 GB
Interner Speichertyp: DDR3
Speichertaktfrequenz: 1600 MHz
Memory Formfaktor: 240-pin DIMM
Speicherlayout (Module x Größe): 1 x 4 GB
Gepufferter Speichertyp: Unregistered (unbuffered)
ECC: Nein
CAS Latenz: 11
Speicherspannung: 1.35 V
Modulkonfiguration: 512M x 64